360°科技－High

2007年12月24日 — high-k/metal gate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化，如圖一所示，藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流，使32nm以下大型積體 ...

2007年7月31日 — ... 金屬閘極(Metal Gate)，Intel 於2003年提出以金屬閘極取代複晶矽以改善電極與絕緣體之間的缺陷密度，同時Intel發表High-k/Metal-Gate預定將於2007用於 ...

2018年8月8日 — 優點，而其最重要的是金氧半場效電晶體較容易 ... 決此問題，因為metal gate有 ... 在此報告中，我們將探討不同TiXN1-X metal gate的電性以及可靠度分析。

2021年1月24日 — MOS晶体管需要有较高的栅电容以把电荷吸引至沟道中。这使SiO2栅介质必须非常薄（例如在65 nm工艺中为10.5-12A, 只有4个原子层厚)。

2008年6月20日 — 現在，閘極與基極間本來就有絕緣層，但其絕緣度愈來愈不足，所以也必須進行換用，換用絕緣性更高的，所以就有了High k/Metal Gate技術的誕生。 事實上在 ...

而使用金屬閘極(Metal gate)搭配高介電係數介. 電層可抑制其發生[7]。另一方面,當元件微縮時,等效氧化層厚度越薄,其多晶矽空乏效應將越來越嚴.

2019年6月15日 — 上个世纪70年代，MOSFET (MOS场效应晶体管)刚出来的时候结构非常简单，我十年前有幸做过2.25um的Metal Gate，工艺流程就是N/P WELL、N+/P+_S/D、GOX、CONT ...

2022年1月21日 — ... metal gate），介電層的k 值愈大，氧化層電容（Cox）愈大，電晶體電流愈大 ... 隨著傳統的半導體尺寸微縮，電晶體的閘極長度（gate length）也逐漸減小。

高介電常數金屬閘極（High-k Metal Gate, HKMG）和鰭式場效電晶體（FinFET）的結構與成份分析 · 市售IC 的橫截面TEM 影像 · (a) 40 nm 平面式HKMG · (b) 電 ...